Infineon 4 MB SRAM 512K, 8 / Wort, SOJ 36-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 182-3295
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1049GN-10VXI
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 182-3295
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1049GN-10VXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Speicher Größe | 4MB | |
| Organisation | 512k x 16 Bit | |
| Anzahl der Wörter | 512K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Zugriffszeit max. | 10ns | |
| Timing Typ | Asynchron | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOJ | |
| Pinanzahl | 36 | |
| Höhe | 0.12mm | |
| Breite | 0.4 mm | |
| Länge | 0.93mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Speicher Größe 4MB | ||
Organisation 512k x 16 Bit | ||
Anzahl der Wörter 512K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Zugriffszeit max. 10ns | ||
Timing Typ Asynchron | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOJ | ||
Pinanzahl 36 | ||
Höhe 0.12mm | ||
Breite 0.4 mm | ||
Länge 0.93mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
- Ursprungsland:
- US
Der CY7C1049GN ist ein leistungsstarkes CMOS-Fast-Static-RAM-Gerät, das als 512 K Wörter pro 8 Bit organisiert ist. Datenschreibvorgänge werden ausgeführt, indem die Eingänge Chip Enable (CE) und Write Enable (WE) LOW bestätigt werden, während die Daten auf E/A0 über E/A7 und die Adresse auf A0 über A18-Stifte bereitgestellt werden. Datenlesungen werden durchgeführt, indem die Eingänge für Chip Enable (CE) und Output Enable (OE) LOW bestätigt werden und die erforderliche Adresse auf den Adresszeilen angegeben wird. Die Lesedaten sind auf den E/A-Leitungen (E/A0 bis E/A7) zugänglich. Alle E/A (E/A0 bis E/A7) werden in einem Zustand mit hoher Impedanz während der folgenden Ereignisse platziert: Das Gerät wird deaktiviert (CE HIGH) Das Steuersignal OE wird de-assert.
Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns
Niedrige aktive und Standby-Ströme
Aktiver Strom: ICC = 38 mA typisch
Standby-Strom: ISB2 = 6 mA typisch
Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und
4,5 V bis 5,5 V
1,0 V Datenspeicherung
TTL-kompatible Eingänge und Ausgänge
Bleifreie 36-polige SOJ- und 44-polige TSOP II-Gehäuse
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