Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOJ-44 44-Pin

RS Best.-Nr.:: 182-3344
Herst. Teile-Nr.:: CY7C1041G-10VXI
Marke:: Infineon

Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOJ-44 44-Pin

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Preis pro Stück (In einer VPE à 2)

7,07 €

(ohne MwSt.)

8,41 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 18	7,07 €	14,14 €
20 - 48	5,30 €	10,60 €
50 - 98	5,205 €	10,41 €
100 - 198	5,175 €	10,35 €
200 +	4,845 €	9,69 €

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RS Best.-Nr.:: 182-3344
Herst. Teile-Nr.:: CY7C1041G-10VXI
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Produktdetails

Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns / 15 ns
Integrierter ECC für Einzelbit-Fehlerkorrektur [1, 2]
Niedriger Wirk- und Standby-Strom
Wirkstrom: ICC = 38 mA (typisch)
Standby-Strom: ISB2 = 6 mA (typisch)
Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und 4,5 V bis 5,5 V
1,0-V-Datenspeicherung
TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
Fehleranzeige-Stift (ERR) zeigt Erkennung und Korrektur von 1-Bit-Fehlern an
PB-freie 44-polige SOJ-, 44-polige TSOP II- und 48-Ball-VFBGA-Gehäuse

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Speicher Größe	4MBit
Organisation	256 K x 16
Anzahl der Wörter	256k
Anzahl der Bits pro Wort	16bit
Zugriffszeit max.	10ns
Adressbusbreite	16bit
Taktfrequenz	100MHz
Low Power	Ja
Timing Typ	Asymmetrisch
Montage-Typ	SMD
Gehäusegröße	SOJ-44
Pinanzahl	44
Abmessungen	1.13 x 0.405 x 0.11Zoll
Höhe	2.79mm
Arbeitsspannnung max.	5,5 V
Länge	28.7mm
Betriebstemperatur max.	+85 °C
Breite	10.29mm
Arbeitsspannnung min.	4,5 V
Betriebstemperatur min.	–40 °C

Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 256k 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOJ-44 44-Pin

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