- RS Best.-Nr.:
- 182-3386
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1049GN-10VXI
- Marke:
- Infineon
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- 182-3386
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1049GN-10VXI
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- US
Produktdetails
Das Modell CY7C1049GN ist ein Hochleistungs-CMOS-SRAM-Gerät, organisiert als 512000 Wörter mit jeweils 8 Bit. Schreibvorgänge erfolgen über die Festlegung der Eingaben "Chip Enable" (CE) und "Write Enable" (WE) als NIEDRIG, und stellt die Daten gleichzeitig über E/A-0 bis E/A-7 sowie die Adresse über die Pole A-0 bis A-18 zur Verfügung. Lesevorgänge erfolgen über die Festlegung der Eingaben "Chip Enable" (CE) und "Write Enable" (WE) als NIEDRIG, unter Angabe der erforderlichen Adresse und der Adresszeilen. Daten werden über die E/A-Leitungen ausgelesen (E/A-0 bis E/A-7). Alle E/A (E/A-0 bis E/A-7) befinden sich während der folgenden Ereignisse in einem hochohmigen Zustand: Wenn die Auswahl für das Gerät aufgehoben wird (CE HOCH), oder wenn die Festlegung für das Kontrollsignal OE aufgehoben wird.
Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns
Niedriger Wirk- und Standby-Strom
Wirkstrom: ICC = 38 mA (typisch)
Standby-Strom: ISB2 = 6 mA (typisch)
Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und
4,5 V bis 5,5 V
1,0 V Datenspeicherung
TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
Bleifreie, 36-polige SOJ-Gehäuse sowie 44-polige TSOP-II-Gehäuse
tAA = 10 ns
Niedriger Wirk- und Standby-Strom
Wirkstrom: ICC = 38 mA (typisch)
Standby-Strom: ISB2 = 6 mA (typisch)
Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 2,2 V, 2,2 V bis 3,6 V und
4,5 V bis 5,5 V
1,0 V Datenspeicherung
TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
Bleifreie, 36-polige SOJ-Gehäuse sowie 44-polige TSOP-II-Gehäuse
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 4MBit |
Organisation | 512 K x 8 |
Anzahl der Wörter | 512k |
Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |
Zugriffszeit max. | 10ns |
- RS Best.-Nr.:
- 182-3386
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C1049GN-10VXI
- Marke:
- Infineon
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