Infineon 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k 104MHz, 8bit / Wort, 2,4 V bis 2,6 V, SOIC 16-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 181-8377
- Herst. Teile-Nr.:
- CY14B101PA-SFXI
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 1MBit | |
| Organisation | 128.000 x 8 Bit | |
| Anzahl der Wörter | 128k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 15ns | |
| Taktfrequenz | 104MHz | |
| Low Power | Ja | |
| Timing Typ | Synchron | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Abmessungen | 10.49 x 7.59 x 2.36mm | |
| Höhe | 2.36mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 2,6 V | |
| Breite | 7.59mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,4 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Länge | 10.49mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 1MBit | ||
Organisation 128.000 x 8 Bit | ||
Anzahl der Wörter 128k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Zugriffszeit max. 15ns | ||
Taktfrequenz 104MHz | ||
Low Power Ja | ||
Timing Typ Synchron | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 16 | ||
Abmessungen 10.49 x 7.59 x 2.36mm | ||
Höhe 2.36mm | ||
Arbeitsspannnung max. 2,6 V | ||
Breite 7.59mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 2,4 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Länge 10.49mm | ||
Der Cypress CY14X101PA kombiniert einen 1-Mbit-nv-SRAM[1] mit einer voll ausgestatteten RTC in einer monolithischen integrierten Schaltung mit serieller SPI-Schnittstelle. Der Speicher ist in 128 K Wörter mit jeweils 8 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente enthalten die Quantum-Trap-Technologie und schaffen so den weltweit zuverlässigsten nichtflüchtigen Speicher. Das SRAM bietet unendliche Lese- und Schreibzyklen, während die Quantum-Trap-Zellen eine äußerst zuverlässige, nichtflüchtige Speicherung von Daten bieten. Die Datenübertragung vom SRAM zu den nichtflüchtigen Elementen (STORE-Betrieb) erfolgt automatisch beim Ausschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus dem nichtflüchtigen Speicher (RECALL-Betrieb) im SRAM wiederhergestellt. Sie können die STORE- und RECALL-Vorgänge auch über SPI-Befehle initiieren.
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