Infineon 1MBit SRAM-Speicherbaustein 128k, 8bit / Wort
- RS Best.-Nr.:
- 182-3401
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C109D-10VXIT
- Marke:
- Infineon
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| 75 - 147 | 3,71 € | 11,13 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 182-3401
- Herst. Teile-Nr.:
- CY7C109D-10VXIT
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- US
Produktdetails
Stift- und funktionskompatibel mit CY7C109B/CY7C1009B.
Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns
Niedrige Wirkleistung
ICC = 80 mA bei 10 ns
Geringe CMOS-Standby-Leistung
ISB2 = 3 mA
2,0 V Data
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
Einfache Speichererweiterung mit CE1-, CE2- und OE-Optionen
CY7C109D erhältlich in bleifreien 32-poligen 400-mil-breiten geformten SOJ- und 32-poligen TSOP I-Gehäusen. CY7C1009D erhältlich in Pb-freiem 32-poligem 300-mil-breitem gegossenem SOJ-Gehäuse
Hohe Geschwindigkeit
tAA = 10 ns
Niedrige Wirkleistung
ICC = 80 mA bei 10 ns
Geringe CMOS-Standby-Leistung
ISB2 = 3 mA
2,0 V Data
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
TTL-kompatible Ein- und Ausgänge
Einfache Speichererweiterung mit CE1-, CE2- und OE-Optionen
CY7C109D erhältlich in bleifreien 32-poligen 400-mil-breiten geformten SOJ- und 32-poligen TSOP I-Gehäusen. CY7C1009D erhältlich in Pb-freiem 32-poligem 300-mil-breitem gegossenem SOJ-Gehäuse
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Speicher Größe | 1MBit |
| Organisation | 128 K x 8 |
| Anzahl der Wörter | 128k |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit |
| Zugriffszeit max. | 10ns |
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