Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256k, 16bit / Wort, 2,7 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin

RS Best.-Nr.:: 250-0189
Herst. Teile-Nr.:: RMLV0416EGSB-4S2#AA1
Marke:: Renesas Electronics

Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256k, 16bit / Wort, 2,7 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin

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Herst. Teile-Nr.:: RMLV0416EGSB-4S2#AA1
Marke:: Renesas Electronics

Datasheet - RMLV0416EGSB-4S2#AA1

Eigenschaft	Wert
Speicher Größe	4MBit
Organisation	256 K x 16
Anzahl der Wörter	256k
Anzahl der Bits pro Wort	16bit
Zugriffszeit max.	45ns
Low Power	Ja
Montage-Typ	SMD
Gehäusegröße	TSOP
Pinanzahl	44
Abmessungen	18.41 x 10.16 x 1mm
Arbeitsspannnung max.	3,6 V
Höhe	1mm
Betriebstemperatur min.	–40 °C
Länge	18.41mm
Betriebstemperatur max.	+85 °C
Breite	10.16mm
Arbeitsspannnung min.	2,7 V

Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256k, 16bit / Wort, 2,7 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin

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4 MB Advanced LPSRAM (256 Wörter x 16 Bit)

Wichtigste Merkmale:

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