Renesas Electronics 4 MB SRAM 256K, 16 / Wort, TSOP 44-Pin

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RS Best.-Nr.:
250-0189
Herst. Teile-Nr.:
RMLV0416EGSB-4S2#AA1
Marke:
Renesas Electronics
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Marke

Renesas Electronics

Produkt Typ

SRAM

Speicher Größe

4MB

Organisation

256k x 16

Anzahl der Wörter

256K

Anzahl der Bits pro Wort

16

Zugriffszeit max.

45ns

Minimale Versorgungsspannung

2.7V

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Montageart

Oberfläche

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gehäusegröße

TSOP

Pinanzahl

44

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

RMLV0416E

Breite

10.16 mm

Länge

18.41mm

Automobilstandard

Nein

Versorgungsstrom

10mA

4 MB Advanced LPSRAM (256 Wörter x 16 Bit)


Die Serie RMLV0416E ist eine Familie von statischen 4-Mbit-RAMs, die 262, 144-Wörter x 16 Bit organisiert sind und mit den leistungsstarken Advanced LPSRAM-Technologien von Renesas hergestellt werden. Die Serie RMLV0416E bietet eine höhere Dichte, eine höhere Leistung und einen niedrigen Stromverbrauch. Die Serie RMLV0416E bietet eine niedrige Standby-Leistungsverlust und ist daher für Batterie-Backup-Systeme geeignet. Er wird als 44-poliges TSOP (II) oder 48-Kugel-Kugelgitter-Array mit feinem Rastermaß angeboten.

Wichtigste Merkmale:


  • Einfache 3-V-Versorgung: 2,7 V bis 3,6 V

  • Zugriffszeit: 45 ns (max.)

  • Stromverbrauch: Standby: 0,3 μA (typ.)

  • Gleichzeitiger Zugriff und Zykluszeiten

  • Gemeinsamer Dateneingang und -ausgang, Dreistatausgang

  • Direkt TTL-kompatibel Alle Eingänge und Ausgänge

  • Batterie-Backup-Betrieb

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