Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256k, 16bit / Wort, 2,7 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin

RS Best.-Nr.:: 250-0190
Herst. Teile-Nr.:: RMLV0416EGSB-4S2#AA1
Marke:: Renesas Electronics

Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 256k, 16bit / Wort, 2,7 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin

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75 +	5,25 €

RS Best.-Nr.:: 250-0190
Herst. Teile-Nr.:: RMLV0416EGSB-4S2#AA1
Marke:: Renesas Electronics

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet - RMLV0416EGSB-4S2#AA1

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

4 MB Advanced LPSRAM (256 Wörter x 16 Bit)

Die Serie RMLV0416E ist eine Familie von statischen 4-Mbit-RAMs, die 262, 144-Wörter x 16 Bit organisiert sind und mit den leistungsstarken Advanced LPSRAM-Technologien von Renesas hergestellt werden. Die Serie RMLV0416E bietet eine höhere Dichte, eine höhere Leistung und einen niedrigen Stromverbrauch. Die Serie RMLV0416E bietet eine niedrige Standby-Leistungsverlust und ist daher für Batterie-Backup-Systeme geeignet. Er wird als 44-poliges TSOP (II) oder 48-Kugel-Kugelgitter-Array mit feinem Rastermaß angeboten.

Wichtigste Merkmale:

Einfache 3-V-Versorgung: 2,7 V bis 3,6 V

Zugriffszeit: 45 ns (max.)

Stromverbrauch: Standby: 0,3 μA (typ.)

Gleichzeitiger Zugriff und Zykluszeiten

Gemeinsamer Dateneingang und -ausgang, Dreistatausgang

Direkt TTL-kompatibel Alle Eingänge und Ausgänge

Batterie-Backup-Betrieb

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Speicher Größe	4MBit
Organisation	256 K x 16
Anzahl der Wörter	256k
Anzahl der Bits pro Wort	16bit
Zugriffszeit max.	45ns
Low Power	Ja
Montage-Typ	SMD
Gehäusegröße	TSOP
Pinanzahl	44
Abmessungen	18.41 x 10.16 x 1mm
Arbeitsspannnung max.	3,6 V
Höhe	1mm
Arbeitsspannnung min.	2,7 V
Länge	18.41mm
Betriebstemperatur min.	–40 °C
Betriebstemperatur max.	+85 °C
Breite	10.16mm