Renesas Electronics 4MBit LowPower SRAM 512k, 8bit / Wort, 3 V bis 3,6 V, TSOP-44 44-Pin

Der statische RAM von Renesas Electronics hat eine hohe Geschwindigkeit von 4.194.304 Bit, die als 512K x 8 organisiert sind, und wird in hochleistungsfähiger und hochzuverlässiger CMOS-Technologie hergestellt. Diese hochmoderne Technologie bietet in Verbindung mit innovativen Schaltungsentwurfstechniken eine kosteneffiziente Lösung für Hochgeschwindigkeitsspeicheranforderungen.

Er verfügt über einen Ausgangsfreigabe-Pin, der bis zu 5ns schnell arbeitet, mit Adresszugriffszeiten von bis zu 10 ns
Alle bidirektionalen Ein- und Ausgänge des IDT71V424 sind TTL-kompatibel
Er bietet JEDEC Centre Power/GND Pinout für reduziertes Rauschen
Niedriger Stromverbrauch durch Chip-Deselect
Industrieller Temperaturbereich von -40 °C bis +85 °C ist für ausgewählte Geschwindigkeiten verfügbar