Renesas Electronics 8 MB SRAM 512K, 16 / Wort, TSOP 44-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 250-0194
- Herst. Teile-Nr.:
- RMLV0816BGSB-4S2#AA0
- Marke:
- Renesas Electronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
4,61 €
(ohne MwSt.)
5,49 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Nur noch Restbestände
- Letzte 22 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,61 € |
| 10 - 24 | 4,28 € |
| 25 - 49 | 4,25 € |
| 50 - 74 | 4,14 € |
| 75 + | 4,06 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 250-0194
- Herst. Teile-Nr.:
- RMLV0816BGSB-4S2#AA0
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Speicher Größe | 8MB | |
| Organisation | 512k x 16 | |
| Anzahl der Wörter | 512K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Zugriffszeit max. | 45ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.4V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Pinanzahl | 44 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 18.41mm | |
| Breite | 10.16 mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Speicher Größe 8MB | ||
Organisation 512k x 16 | ||
Anzahl der Wörter 512K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Zugriffszeit max. 45ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.4V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Pinanzahl 44 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 18.41mm | ||
Breite 10.16 mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der statische 8-Mbit-RAM von Renesas Electronics wird mit leistungsstarken fortschrittlichen LPSRAM-Technologien hergestellt. Er hat eine höhere Dichte, eine höhere Leistung und einen geringeren Stromverbrauch realisiert. Er bietet eine niedrige Verlustleistung im Standby-Betrieb.
Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten
Gemeinsamer Dateneingang und -Ausgang
Direkt TTL-kompatibel
Batterie-Backup-Betrieb
Verwandte Links
- Renesas Electronics 8 MB SRAM 512K TSOP 44-Pin
- Renesas Electronics 8 MB SRAM 1024K TSOP 44-Pin
- Renesas Electronics 4 MB SRAM 256K TSOP 44-Pin
- Renesas Electronics 8MBit LowPower SRAM 1024K 8 bit 19 bit, TSOP 48-Pin
- Infineon 8 MB SRAM 512K TSOP II 44-Pin
- Infineon 8 MB SRAM 512K TSOP 54-Pin
- ISSI 4 MB SRAM 512K TSOP 44-Pin
- ISSI 8 MB SRAM 512K TSOP 44-Pin