Renesas Electronics 8MBit LowPower SRAM 512k, 16bit / Wort, 2,4 V bis 3,6 V, TSOP 44-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 250-0194
- Herst. Teile-Nr.:
- RMLV0816BGSB-4S2#AA0
- Marke:
- Renesas Electronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Speicher Größe | 8MBit | |
| Organisation | 512k x 16 | |
| Anzahl der Wörter | 512k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit | |
| Zugriffszeit max. | 45ns | |
| Low Power | Ja | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 44 | |
| Abmessungen | 18.41 x 10.16 x 1mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Höhe | 1mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Breite | 10.16mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Länge | 18.41mm | |
| Arbeitsspannnung min. | 2,4 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Speicher Größe 8MBit | ||
Organisation 512k x 16 | ||
Anzahl der Wörter 512k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16bit | ||
Zugriffszeit max. 45ns | ||
Low Power Ja | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 44 | ||
Abmessungen 18.41 x 10.16 x 1mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Höhe 1mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Breite 10.16mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Länge 18.41mm | ||
Arbeitsspannnung min. 2,4 V | ||
Der statische 8-Mbit-RAM von Renesas Electronics wird mit leistungsstarken fortschrittlichen LPSRAM-Technologien hergestellt. Er hat eine höhere Dichte, eine höhere Leistung und einen geringeren Stromverbrauch realisiert. Er bietet eine niedrige Verlustleistung im Standby-Betrieb.
Gleiche Zugriffs- und Zykluszeiten
Gemeinsamer Dateneingang und -Ausgang
Direkt TTL-kompatibel
Batterie-Backup-Betrieb
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