Infineon 8 MB SRAM 512K, 16 / Wort, TSOP 54-Pin

Der SRAM von Infineon ist ein schneller statischer RAM mit einem nicht flüchtigen Element in jeder Speicherzelle. Der Speicher ist als 1024 Kbyte mit je 8 Bit oder 512 K Wörter mit je 16 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente enthalten die Quantum Trap-Technologie und erzeugen den weltweit zuverlässigsten nicht flüchtigen Speicher. Der SRAM bietet unendlich viele Lese- und Schreibzyklen, während sich unabhängige, nicht flüchtige Daten in der äußerst zuverlässigen Quantum Trap-Zelle befinden. Die Datenübertragung vom SRAM auf die nicht flüchtigen Elemente erfolgt automatisch beim Abschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus dem nicht flüchtigen Speicher auf den SRAM wiederhergestellt. Sowohl die STORE- als auch die RECALL-Operationen sind auch unter Software-Steuerung verfügbar.

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