Infineon 4MBit SRAM 256k, 16bit / Wort

Der SRAM von Infineon ist ein schneller statischer RAM mit einem nicht flüchtigen Element in jeder Speicherzelle. Der Speicher ist als 512K Byte mit je 8 Bit oder 256K Wörter mit je 16 Bit organisiert. Die integrierten nicht flüchtigen Elemente enthalten die Quantum Trap-Technologie und erzeugen den weltweit zuverlässigsten nicht flüchtigen Speicher. Der SRAM bietet unendlich viele Lese- und Schreibzyklen, während sich unabhängige, nicht flüchtige Daten in der äußerst zuverlässigen Quantum Trap-Zelle befinden. Die Datenübertragung vom SRAM auf die nicht flüchtigen Elemente erfolgt automatisch beim Abschalten. Beim Einschalten werden die Daten aus dem nicht flüchtigen Speicher auf den SRAM wiederhergestellt. Sowohl die STORE- als auch die RECALL-Operationen sind auch unter Software-Steuerung verfügbar.

Bleifrei
Raphes-konform
20 Jahre Datenspeicherung
Unendliche Lese-Schreib- und Abrufzyklen
1 Million STORE-Zyklen zu QuantumTrap
Erinnerung an SRAM, der durch Software oder Stromversorgung initiiert wird