Infineon 128MBit SRAM, 16bit / Wort

Der DRAM von Infineon ist ein Hochgeschwindigkeits-CMOS-Selbstaktualisierungs-DRAM mit HYPERBUSTM-Schnittstelle. Das DRAM-Array verwendet dynamische Zellen, die eine periodische Aktualisierung erfordern. Die Aktualisierungs-Steuerlogik im Gerät verwaltet die Aktualisierungsvorgänge auf dem DRAM-Array, wenn der Speicher vom HYPERBUSTM-Schnittstellenmaster nicht aktiv gelesen oder geschrieben wird. Da der Host keine Aktualisierungsvorgänge verwalten muss, erscheint das DRAM-Array dem Host so, als würde der Speicher statische Zellen verwenden, die Daten ohne Aktualisierung speichern. Daher wird der Speicher genauer als pseudostatischer RAM beschrieben.

HYPERBUSTM-Schnittstelle
200 MHz maximale Taktfrequenz
Konfigurierbare Ausbruchmerkmale
Datendurchsatz bis zu 400 MB/s
Bidirektionaler Lese- und Schreib-Datenstroboskop
Optionaler mittig ausgerichteter DDR-Lese-Strobe