Infineon 4 MB SRAM 256K, 16 / Wort, TSOP II 44-Pin

Dieser SRAM ist ein oberflächenmontiertes Speichergerät, das für asynchrone Speicherung mit geringem Stromverbrauch in eingebetteten und industriellen Kontexten entwickelt wurde. Er arbeitet in einem reduzierten Spannungsbereich, der für energiebewusste Designs geeignet ist, und funktioniert innerhalb erweiterter Temperaturgrenzen für anspruchsvolle Umgebungen. Der Gehäusetyp unterstützt kompakte Leiterplatten-Layouts und entspricht den gängigen Umweltstandards für elektronische Komponenten.

• Der Versorgungsbereich von 2,2 V bis 3,6 V reduziert den Stromverbrauch und ermöglicht flexible Leistungsbereiche
• Asynchrones Timing vereinfacht die Schnittstelle mit verschiedenen Logikfamilien
• Typischer Versorgungsstrom von 20 mA unterstützt energieempfindliche Anwendungen
• Die Organisation von 256.000 Wörtern bietet deterministische, adressierbare Speicherblöcke
• RoHS-Konformität erleichtert die Montage in geregelten Fertigungslinien

• Geeignet für eingebettete Systeme, die einen nicht flüchtigen SRAM-ähnlichen Zugriff erfordern
• Ideal für industrielle Steuerungen, die bei extremen Temperaturen arbeiten
• Verwendung mit Mikrocontrollern, die 16-Bit-Datenübertragungen benötigen
• Kann zur Speicherpufferung in Kommunikationsgeräten mit geringem Stromverbrauch verwendet werden
• Geeignet für Leiterplatten-Designs, die oberflächenmontierte 44-polige Gehäuse erfordern

Es verwendet ein TSOP II-Gehäuse für die Oberflächenmontage mit einer 44-poligen Anzahl, die für kompakte Leiterplatten-Layouts geeignet ist.

Er ist für den Einsatz bei industriellen Temperaturen zwischen -40 °C und 85 °C ausgelegt.

Der Speicher ist als 256 kx16 angeordnet und liefert 256K adressierbare Wörter bei einer Wortbreite von 16 Bit.

Der typische Versorgungsstrom ist für die Planung von Leistungsbudgets auf 20 mA angegeben.