Infineon 8 MB SRAM 512K, 16 / Wort, TSOP II 44-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 273-7346
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62157EV30LL-45ZSXI
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Stück)*
9,44 €
(ohne MwSt.)
11,23 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 1.320 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 + | 9,44 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7346
- Herst. Teile-Nr.:
- CY62157EV30LL-45ZSXI
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 8MB | |
| Produkt Typ | SRAM | |
| Anzahl der Wörter | 512K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16 | |
| Timing Typ | Asynchron | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.20V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.60V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gehäusegröße | TSOP II | |
| Pinanzahl | 44 | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Serie | CY62157EV30 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 18.51mm | |
| Breite | 1.19mm | |
| Höhe | 10.26mm | |
| Versorgungsstrom | 35mA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 8MB | ||
Produkt Typ SRAM | ||
Anzahl der Wörter 512K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16 | ||
Timing Typ Asynchron | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.20V | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.60V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gehäusegröße TSOP II | ||
Pinanzahl 44 | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Serie CY62157EV30 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 18.51mm | ||
Breite 1.19mm | ||
Höhe 10.26mm | ||
Versorgungsstrom 35mA | ||
SRAM der Serie CY62157EV30 von Infineon, 8 MB Speichergröße, 16 Bit pro Wort – CY62157EV30LL-45ZSXI
Dieser SRAM bietet 8 MB flüchtigen parallelen Speicher in einem oberflächenmontierten TSOP II-Gehäuse für Anwendungen, die eine schnelle, byte-adressierbare Datenaufbewahrung erfordern. Es arbeitet asynchron über einen breiten Versorgungsbereich und ist für Systeme vorgesehen, bei denen eine kompakte Integration auf Board-Ebene und ein vorhersehbares Leistungsverhalten wichtig sind.
Merkmale und Vorteile:
• Die Versorgungsspannung von 2,2 bis 3,6 V unterstützt flexible Stromschienen-Designs
• 35 mA Versorgungsstrom reduziert die Energieaufnahme während des Betriebs
• Die Organisation von 512Kx16 ermöglicht eine breite parallele Datenübertragung
• Das asynchrone Timing bietet eine einfache Steuerung ohne Taktung
• Die 44-polige Oberflächenmontage ermöglicht eine dichte Platzierung der Leiterplatte
• 35 mA Versorgungsstrom reduziert die Energieaufnahme während des Betriebs
• Die Organisation von 512Kx16 ermöglicht eine breite parallele Datenübertragung
• Das asynchrone Timing bietet eine einfache Steuerung ohne Taktung
• Die 44-polige Oberflächenmontage ermöglicht eine dichte Platzierung der Leiterplatte
Anwendungsbereich
• Geeignet für Pufferspeicher in Steuerungssystemen
• Ideal für die Firmware-Speicherung in eingebetteten Modulen
• Wird mit industriellen Steuerungen verwendet, die eine erweiterte Temperatur erfordern
• Kann als Cache in Datenprotokollierungsgeräten verwendet werden
• Ideal für die Firmware-Speicherung in eingebetteten Modulen
• Wird mit industriellen Steuerungen verwendet, die eine erweiterte Temperatur erfordern
• Kann als Cache in Datenprotokollierungsgeräten verwendet werden
Welchen Versorgungsspannungsbereich unterstützt er?
Es arbeitet mit einer Spannung von 2,20 V bis 3,60 V und ist somit mit unterschiedlichen Schienen kompatibel.
Für welchen Temperaturbereich ist er ausgelegt?
Er ist für den Einsatz zwischen -40 °C und 85 °C in rauen Umgebungen spezifiziert.
Wie ist das Gerät für die Leiterplattenmontage verpackt?
Er wird in einem 44-poligen TSOP II-Gehäuse für die Oberflächenmontage für die automatische Platzierung geliefert.
Wie lautet die Speicherorganisation und die Wortbreite?
Die Anordnung beträgt 512K Wörter x 16 Bit und bietet eine Gesamtkapazität von 8 MB.
Verwandte Links
- Infineon 8 MB SRAM 512K TSOP II 44-Pin
- Infineon 4 MB SRAM 512K TSOP II 32-Pin
- Infineon 4 MB SRAM 256K TSOP II 44-Pin
- Infineon 1 MB SRAM 64K TSOP II 44-Pin
- Renesas Electronics 8 MB SRAM 512K TSOP 44-Pin
- ISSI 8 MB SRAM 512K TSOP 44-Pin
- ISSI 4 MB SRAM 512K TSOP 44-Pin
- Infineon 4 MB SRAM 512K 100 MHz 36-polig gegossen SOJ/44-polig TSOP II 44-Pin
