Renesas Electronics 64MBit LowPower SRAM 4M, 16bit / Wort, FBGA 48-Pin

RS Best.-Nr.:: 767-5963
Herst. Teile-Nr.:: R1WV6416RBG-7SI#B0
Marke:: Renesas Electronics

Renesas Electronics 64MBit LowPower SRAM 4M, 16bit / Wort, FBGA 48-Pin

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Herst. Teile-Nr.:: R1WV6416RBG-7SI#B0
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Mehr Infos und technische Dokumente

R1WV6416R Series Data Sheet

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: JP

Produktdetails

SRAM mit geringem Stromverbrauch, Serie R1WV, Renesas Electronics

Die hoch entwickelten Niederspannungs-SRAMs der Serie R1WV eignen sich für Anwendungen, bei denen einfache Kopplung, Batteriebetrieb und Batteriepufferung sind die wichtigen Zielsetzungen des Designs sind.

Einfaches Netzteil mit 2,7 V oder 3,6 V
Kleine Ruhestromanforderungen
Keine Taktung, keine Aktualisierung erforderlich
Alle Eingänge und Ausgänge sind TTL-kompatibel.

SRAM (Static Random Access Memory)

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Speicher Größe	64MBit
Organisation	4 MB x 16 bit
Anzahl der Wörter	4M
Anzahl der Bits pro Wort	16bit
Zugriffszeit max.	70ns
Low Power	Ja
Timing Typ	Asymmetrisch
Montage-Typ	SMD
Gehäusegröße	FBGA
Pinanzahl	48
Abmessungen	8.5 x 11 x 0.8mm
Arbeitsspannnung max.	3,6 V
Höhe	0.8mm
Arbeitsspannnung min.	2,7 V
Breite	11mm
Betriebstemperatur max.	+85 °C
Länge	8.5mm
Betriebstemperatur min.	-40 °C