ISSI 2MBit LowPower SRAM 128k, 16bit / Wort 17bit, TSOP 44-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 391-684
- Herst. Teile-Nr.:
- IS61WV12816BLL-12TLI
- Marke:
- ISSI
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 391-684
- Herst. Teile-Nr.:
- IS61WV12816BLL-12TLI
- Marke:
- ISSI
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ISSI | |
| Speicher Größe | 2MBit | |
| Organisation | 128 k x 16 Bit | |
| Anzahl der Wörter | 128k | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16bit | |
| Zugriffszeit max. | 12ns | |
| Adressbusbreite | 17bit | |
| Low Power | Ja | |
| Timing Typ | Asymmetrisch | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Pinanzahl | 44 | |
| Abmessungen | 18.52 x 10.29 x 1.05mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3, 63 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 2, 97 V | |
| Breite | 10.29mm | |
| Länge | 18.52mm | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ISSI | ||
Speicher Größe 2MBit | ||
Organisation 128 k x 16 Bit | ||
Anzahl der Wörter 128k | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16bit | ||
Zugriffszeit max. 12ns | ||
Adressbusbreite 17bit | ||
Low Power Ja | ||
Timing Typ Asymmetrisch | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Pinanzahl 44 | ||
Abmessungen 18.52 x 10.29 x 1.05mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3, 63 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 2, 97 V | ||
Breite 10.29mm | ||
Länge 18.52mm | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Statischer RAM, ISSI
Die ISSI statischen RAM Produkte verwenden die hochleistungsfähige CMOS-Technologie. Es gibt eine breite Palette an statischen RAMs, darunter die 5-V-hochgeschwindigkeitsasynchrone SRAM, die hochschnelle, energiesparende asynchrone SRAM, die energiesparenden 5-V-Typen asynchroner SRAM, die sehr energiesparende statische CMOS-RAM und die asynchrone SRAM PowerSaverTM mit geringerer Leistung. Die ISSI SRAM Geräte sind in einer Vielzahl von Spannungen, Speichergrößen und verschiedenen Organisationen verfügbar. Sie sind geeignet für Anwendungen wie zum Beispiel CPU-Cache-Speicher, Embedded Prozessoren, Festplatte und Schalter für Industrieelektronik.
Stromversorgung: 1,8 V/3,3 V/5 V
Verfügbare Pakete: BGA, SOJ, SOP sTSOP, TSOP
Verfügbare Konfigurationen: x8 und x16
ECC-Funktion für schnelle asynchrone SRAMs
SRAM (Static Random Access Memory)
Verwandte Links
- ISSI 1MBit LowPower SRAM 128k 45 V, SOJ 32-Pin
- ISSI 2 MB SRAM 128k TSOP 44-Pin
- ISSI 8MBit LowPower SRAM 512k BGA 48-Pin
- Infineon 1MBit LowPower SRAM 128K -06 V, SOJ 32-Pin
- ISSI 256kbit LowPower SRAM 32k TSOP 28-Pin
- Infineon 1MBit LowPower SRAM 128k SOJ 32-Pin
- Renesas Electronics 64MBit LowPower SRAM 4M FBGA 48-Pin
- Cypress Semiconductor 1MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 128k TSOP 32-Pin
