STMicroelectronics 16 kB EEPROM, Seriell-I2C Interface, SOIC, 450 ns Oberfläche 2K x 8 bit, 2k x 8-Pin 8
- RS Best.-Nr.:
- 190-7639P
- Herst. Teile-Nr.:
- M24C16-DRMN3TP/K
- Marke:
- STMicroelectronics
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Speicher Größe | 16kB | |
| Produkt Typ | EEPROM | |
| Schnittstellentyp | Seriell-I2C | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Organisation | 2K x 8 bit | |
| Taktfrequenz max. | 1MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.7V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 150mm | |
| Serie | M24C16-A125 | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Zugriffszeit max. | 450ns | |
| Datenspeicherung | 100Jahr | |
| Versorgungsstrom | 2mA | |
| Anzahl der Wörter | 2k | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Speicher Größe 16kB | ||
Produkt Typ EEPROM | ||
Schnittstellentyp Seriell-I2C | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Organisation 2K x 8 bit | ||
Taktfrequenz max. 1MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.7V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 150mm | ||
Serie M24C16-A125 | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Zugriffszeit max. 450ns | ||
Datenspeicherung 100Jahr | ||
Versorgungsstrom 2mA | ||
Anzahl der Wörter 2k | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Kompatibel mit allen I2C-Bus-Modi
1 MHz
400 kHz
100 kHz
Speicherarray
16 Kbit (2 KByte) EEPROM
Seitengröße: 16 Byte
Zusätzliche beschreibbare Seite (Identifikationsseite)
Erweiterter Temperatur- und Spannungsbereich
-40 °C bis 125 °C, 1,7 V bis 5,5 V
Schmitt-Trigger-Eingänge für die Rauschfilterung
Kurze Schreibzykluszeit
Byte-Schreiben innerhalb von 4 ms
Seitenschreiben innerhalb von 4 ms
Schreibzyklus-Lebensdauer
4 Millionen Schreibzyklen bei 25 °C.
1,2 Millionen Schreibzyklen bei 85 °C.
600 k Schreibzyklen bei 125 °C
Datenspeicherung
50 Jahre bei 125 °C
100 Jahre bei 25 °C.
ESD-Schutz
4000 V
Gehäuse
Halogenfrei
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