Winbond W29N Flash-Speicher 4Gbit, 512 M x 8 Bit, Parallel, 25μs, VFBGA, 63-Pin, 2,7 V bis 3,6 V

Dichte: 4 Gbit (Einzelchip-Lösung)
VCC: 2,7 V bis 3,6 V
Busbreite: X8
Betriebstemperatur
Industrie: –40 °C bis 85 °C
Single-Level-Cell (SLC)-Technologie.
Organisation
Dichte: 4G-Bit/512M-Byte
Seitengröße
2.112 Byte (2048 + 64 Byte)
Blockgröße
64 Seiten (128K + 4K Byte)
Höchste Leistung
Leseleistung (max.)
Zufälliges Lesen: 25 us
Sequenzieller Lesezyklus: 25 ns
Schreiblösch-Funktion
Seitenprogrammzeit: 250 us (typ.)
Blocklöschzeit: 2 ms (typ.)
Lebensdauer: 100000 Lösch-/Programmzyklen (1)
10 Jahre Datenspeicherung
Befehlssatz
Standard-NAND-Befehlssatz
Zusätzliche Befehlsunterstützung
Sequenzielles Cache-Lesen
Zufälliges Lesen des Cache
Cache-Programm
Kopieren Sie zurück
Zweiebenen-Betrieb
Wenden Sie sich an Winbond für OTP-Funktion
Wenden Sie sich an Winbond für Blockschlossfunktion
Niedrigste Leistungsaufnahme
Lesen: 25 mA (typ.)
Programmieren/Löschen: 25 mA (typ.)
CMOS-Standby: 10 μA (typ.)
Platzsparende Verpackung
48-poliger Standard-TSOP1
63-Kugel-VFBGA

4 GB SLC NAND-Flash-Speicher mit einheitlicher Seitengröße von 2 KB+64 B.

Busbreite: X8
Zufälliges Lesen: 25us
Seitenprogrammzeit: 250 us (typ.)
Blocklöschzeit: 2 ms (typ.)
Unterstützt OTP-Speicherbereich