Vishay THT NPN Fototransistor IR 2μs, 450nm → 1080nm / 7500μA, 2-Pin 5mm
- RS Best.-Nr.:
- 165-4935
- Herst. Teile-Nr.:
- BPW96B
- Marke:
- Vishay
11000 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einem Beutel mit 1000)
0,375 €
(ohne MwSt.)
0,446 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Beutel* |
| 1000 - 1000 | 0,375 € | 375,00 € |
| 2000 + | 0,353 € | 353,00 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 165-4935
- Herst. Teile-Nr.:
- BPW96B
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
Fototransistoren der Serien BPW96B und BPW96C
Die Serien BPW96B und BPW96C von Vishay Semiconductors gehören zur Familie der Silizium-NPN-Fototransistoren. Sie befinden sich in durchkontaktierten 5-mm-Standardgehäusen (T-1 3/4) mit einer klaren Kunststofflinse. Dies ermöglicht es den BPW96B- und BPW96C-Fototransistoren, empfindlich auf sichtbare und nahe IR-Strahlung zu reagieren. Geeignete Anwendungen für diese Transistoren sind elektronische Steuerungs- und Antriebsschaltkreise.
Funktionen der BPW96B- und BPW96C-Fototransistoren:
5-mm-Gehäuse (T-1 3/4)
Durchgangsbohrungsmontage
Transparentes Kunststoffgehäuse
Hohe Fotoempfindlichkeit
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
5-mm-Gehäuse (T-1 3/4)
Durchgangsbohrungsmontage
Transparentes Kunststoffgehäuse
Hohe Fotoempfindlichkeit
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
IR-Fotodioden, Vishay Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Erkennbare Spektren | IR |
| Fallzeit typ. | 2.3µs |
| Regelanstiegszeit | 2µs |
| Lichtstrom max. | 7500µA |
| Dunkelstrom max. | 200nA |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | ±20° |
| Polarität | NPN |
| Anzahl der Pins | 2 |
| Montage Typ | THT |
| Gehäusetyp | 5 mm (T-1 3/4) |
| Abmessungen | 5 (Dia.) x 8.6mm |
| Kollektorstrom | 50mA |
| Durchmesser | 5mm |
| Wellenlänge min. | 450nm |
| Empfindlichkeit im Spektralbereich | 450 → 1080 nm |
| Wellenlänge max. | 1080nm |
| Höhe über Panel | 8.6mm |
| Sättigungsspannung | 0.3V |
| Emitter-Kollektor-Spannung | 5V |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 70 (Min) V |
Verwandte Produkte
- Vishay THT NPN Fototransistor IR 450nm → 1080nm / 15000μA, 3-Pin TO18
- Vishay THT NPN Fototransistor IR 450nm → 1080nm / 8000μA, 2-Pin 3mm
- Vishay THT NPN Fototransistor IR 450nm → 1080nm / 15000μA, 2-Pin 5mm
- Vishay THT NPN Fototransistor IR 450nm → 1080nm / 20000μA, 3-Pin TO18
- Vishay THT NPN Fototransistor IR 450nm → 1080nm / 800μA, 3-Pin TO18
- Vishay THT NPN Fototransistor IR 450nm → 1080nm / 600μA, 3-Pin TO18
- Vishay THT NPN Fototransistor IR 450nm → 1080nm, 2-Pin 3mm
- Vishay THT NPN Fototransistor IR 450nm → 1080nm / 4000μA, 2-Pin 3mm