Vishay BPV11 Durchsteckmontage 30 ° Fototransistor Infrarot 6 μs / 9000 μA, 2-Pin 5 mm (T-1 3/4)
- RS Best.-Nr.:
- 708-2683
- Herst. Teile-Nr.:
- BPV11F
- Marke:
- Vishay
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Erkannte Spektren | Infrarot | |
| Produkt Typ | Fototransistor | |
| Fallzeit typ. | 5μs | |
| Wellenlänge Spitze | 930nm | |
| Regelanstiegszeit | 6μs | |
| Verpackungsart | Wolle | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Lichtstrom max. | 9000μA | |
| Dunkelstrom max. | 50nA | |
| Empfindlichkeit-Halbwertswinkel | 30 ° | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Gehäusegröße | 5 mm (T-1 3/4) | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 100°C | |
| Kollektorstrom | 50mA | |
| Breite | 5.75mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 5.75mm | |
| Durchmesser | 5mm | |
| Höhe | 8.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Serie | BPV11 | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 70V | |
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|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Erkannte Spektren Infrarot | ||
Produkt Typ Fototransistor | ||
Fallzeit typ. 5μs | ||
Wellenlänge Spitze 930nm | ||
Regelanstiegszeit 6μs | ||
Verpackungsart Wolle | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Lichtstrom max. 9000μA | ||
Dunkelstrom max. 50nA | ||
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel 30 ° | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Gehäusegröße 5 mm (T-1 3/4) | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 100°C | ||
Kollektorstrom 50mA | ||
Breite 5.75mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 5.75mm | ||
Durchmesser 5mm | ||
Höhe 8.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Serie BPV11 | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 70V | ||
Fototransistoren Serie BPV11
Die Serie BPV11 von Vishay Semiconductor ist eine Familie von Silizium-NPN-Fototransistoren. Sie werden in 5-mm-Standardgehäusen (T-1 3/4) in transparenter oder schwarzer Kunststoffausführung geliefert. Die schwarzen Gehäuse bieten einen Tageslicht-Sperrfilter für sichtbares Umgebungslicht. Die Serie BPV11 ist für den Einsatz als Detektoren in elektronischen Schaltkreisen, sowie in Messung und Steuerung geeignet.
Merkmale der Fototransistoren BPV11:
5-mm-Gehäuse (T-1 3/4)
Durchgangsbohrung
3-polig
Hohe Strahlungsempfindlichkeit
Schnelle Ansprechzeiten
Winkel für halbe Intensität: 30°
Betriebstemperatur: –40 bis 100 °C
IR-Fotodioden, Vishay Semiconductor
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