Vishay BPW17N ±12 ° Fototransistor Sichtbar, Nahinfrarotstrahlung 4.8 μs / 1.0 mA T-3/4

Alle Fototransistoren anzeigen

Zwischensumme (1 Beutel mit 1000 Stück)*

284,00 €

(ohne MwSt.)

338,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1.000 Einheit(en) mit Versand ab 21. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Beutel*
1000 +0,284 €284,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
257-6822
Herst. Teile-Nr.:
BPW17N
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Erkannte Spektren

Sichtbar, Nahinfrarotstrahlung

Produkt Typ

Fototransistor

Fallzeit typ.

5μs

Wellenlänge Spitze

825nm

Regelanstiegszeit

4.8μs

Anzahl der Kanäle

1

Verpackungsart

Wolle

Lichtstrom max.

1.0mA

Dunkelstrom max.

200nA

Empfindlichkeit-Halbwertswinkel

±12 °

Gehäusegröße

T-3/4

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

100°C

Durchmesser

1.8mm

Kollektorstrom

50mA

Normen/Zulassungen

RoHS Directive 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

Serie

BPW17N

Automobilstandard

Nein

Kollektor-Emitter-Spannung

32V

Emitter-Kollektor-Spannung

5V

Der Silizium-NPN-Fototransistor von Vishay mit hoher Strahlungsempfindlichkeit in einem transparenten T-3/4-Kunststoffgehäuse mit Linse. Es ist empfindlich gegenüber sichtbarer und naher Infrarotstrahlung. Auf der Leiterplatte ermöglicht diese Gehäusegröße die Montage von Arrays mit 2,54 mm Rastermaß.

Hohe Lichtempfindlichkeit

Hohe Strahlungsempfindlichkeit

Geeignet für sichtbare und nahezu Infrarotstrahlung

Schnelle Ansprechzeiten

Winkel der halben Empfindlichkeit: φ = ±12°

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.