Infineon FRAM 256 kB, 32K x 8 Bit 70 ns Parallel Oberfläche SOIC 28-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 125-4205
- Herst. Teile-Nr.:
- FM18W08-SG
- Marke:
- Infineon
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- FM18W08-SG
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Speicher Größe | 256kB | |
| Organisation | 32K x 8 Bit | |
| Schnittstellentyp | Parallel | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 70ns | |
| Taktfrequenz max. | 1MHz | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 28 | |
| Länge | 18.11mm | |
| Breite | 7.62 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.37mm | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.7V | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Anzahl der Wörter | 32k | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Speicher Größe 256kB | ||
Organisation 32K x 8 Bit | ||
Schnittstellentyp Parallel | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 70ns | ||
Taktfrequenz max. 1MHz | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 28 | ||
Länge 18.11mm | ||
Breite 7.62 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.37mm | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.7V | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Anzahl der Wörter 32k | ||
FRAM, Cypress-Halbleiter
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.
Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.
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