Infineon FRAM 4 MB, 512kB x 8 Bit 16 ns SPI Oberfläche DFN 8-Pin

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RS Best.-Nr.:
181-1548
Herst. Teile-Nr.:
CY15B104Q-LHXI
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

FRAM

Speicher Größe

4MB

Organisation

512kB x 8 Bit

Schnittstellentyp

SPI

Datenbus-Breite

8bit

Zugriffszeit max.

16ns

Taktfrequenz max.

40MHz

Montageart

Oberfläche

Gehäusegröße

DFN

Pinanzahl

8

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Höhe

0.75mm

Breite

6 mm

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Anzahl der Wörter

512K

Betriebstemperatur min.

-40°C

Minimale Versorgungsspannung

2V

Automobilstandard

Nein

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Anzahl der Bits pro Wort

8

4 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) logisch

Organisiert als 512 K x 8

Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)

151 Jahre Datenspeicherung

NODELAY ® schreibt

Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess

Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)

Bis zu 40 MHz Frequenz

Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM

Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)

Ausgeklügeltes Schreibschutzschema

Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)

Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl

Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array

Geräte-ID

Hersteller-ID und Produkt-ID

Geringer Stromverbrauch

300° A Wirkstrom bei 1 MHz

100° A (typ.) Standby-Strom

Schlafmodusstrom: 3° A (typ.)

Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V

Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.

Gehäuse

8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)

8-poliges dünnes, flaches Gehäuse ohne Kabel (TDFN)

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