Infineon FRAM 2 MB, 256kB x 8 Bit 11 ns SPI Oberfläche DFN 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 181-1599
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25V20A-DGQ
- Marke:
- Infineon
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| 5 - 24 | 13,12 € |
| 25 - 49 | 12,78 € |
| 50 - 99 | 12,46 € |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 181-1599
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25V20A-DGQ
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 2MB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Organisation | 256kB x 8 Bit | |
| Schnittstellentyp | SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 11ns | |
| Taktfrequenz max. | 40MHz | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Breite | 4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 4.5mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Maximale Betriebstemperatur | 105°C | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2V | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Anzahl der Wörter | 256K | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 2MB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Organisation 256kB x 8 Bit | ||
Schnittstellentyp SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 11ns | ||
Taktfrequenz max. 40MHz | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Pinanzahl 8 | ||
Breite 4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 4.5mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Maximale Betriebstemperatur 105°C | ||
Minimale Versorgungsspannung 2V | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Anzahl der Wörter 256K | ||
2 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) logisch
Organisiert als 256 K x 8
10 Trillionen (1014) Lesen/Schreiben mit hoher Lebensdauer
121 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 33 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geräte-ID
Hersteller-ID und Produkt-ID
Geringer Stromverbrauch
3 mA Wirkstrom bei 33 MHz
Standby-Strom: 400° 1 A
12° A Ruhestrom
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Erweiterte Temperatur: -40 °C bis +105 °C.
8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)