Infineon FRAM-Speicher 2MBit, 256 kB x 8 11ns Seriell-SPI SMD DFN 8-Pin 2 V bis 3,6 V

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RS Best.-Nr.:
181-1599
Herst. Teile-Nr.:
FM25V20A-DGQ
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Speicher Größe

2MBit

Organisation

256 kB x 8

Interface-Typ

Seriell-SPI

Datenbus-Breite

8bit

Zugriffszeit max.

11ns

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

DFN

Pinanzahl

8

Abmessungen

6 x 5 x 0.7mm

Länge

5mm

Arbeitsspannnung max.

3,6 V

Breite

6mm

Höhe

0.7mm

Betriebstemperatur max.

+105 °C

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

Arbeitsspannnung min.

2 V

Anzahl der Wörter

256K

Betriebstemperatur min.

–40 °C

2 Mbit ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM) logisch
Organisiert als 256 K x 8
10 Trillionen (1014) Lesen/Schreiben mit hoher Lebensdauer
121 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 33 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geräte-ID
Hersteller-ID und Produkt-ID
Geringer Stromverbrauch
3 mA Wirkstrom bei 33 MHz
Standby-Strom: 400° 1 A
12° A Ruhestrom
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Erweiterte Temperatur: -40 °C bis +105 °C.
8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)

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