Infineon FRAM 2 MB, 256k x 8 Bit 16 ns SPI Oberfläche DFN 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 188-5422
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25V20A-DG
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 188-5422
- Herst. Teile-Nr.:
- FM25V20A-DG
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 2MB | |
| Produkt Typ | FRAM | |
| Organisation | 256k x 8 Bit | |
| Schnittstellentyp | SPI | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 16ns | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Taktfrequenz max. | 40MHz | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 4.5mm | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Anzahl der Wörter | 256K | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 3.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 2MB | ||
Produkt Typ FRAM | ||
Organisation 256k x 8 Bit | ||
Schnittstellentyp SPI | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 16ns | ||
Montageart Oberfläche | ||
Taktfrequenz max. 40MHz | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Pinanzahl 8 | ||
Höhe 0.75mm | ||
Breite 4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 4.5mm | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Anzahl der Wörter 256K | ||
Minimale Versorgungsspannung 2V | ||
Maximale Versorgungsspannung 3.6V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8 | ||
FRAM, Cypress-Halbleiter
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) ist energieeffizient und verfügt über die höchste Zuverlässigkeit der nicht flüchtigen RAM-Speicher sowohl für serielle als auch parallele Schnittstellen. Teile mit Suffix A wurden für den Einsatz in der Automobilindustrie konzipiert und sind AEC-Q100-zertifiziert.
Nicht flüchtiger ferroelektrischer RAM-Speicher
Hohe Schreibgeschwindigkeit
Lange Lebensdauer
Geringer Stromverbrauch
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (ferroelektrischer Arbeitsspeicher) ist ein nicht flüchtiger Speicher, der eine ferroelektrische Folie als Kondensator zum Speichern von Daten verwendet. Besitzt die Eigenschaften von ROM- und RAM-Elementen. F-RAM zeichnet sich durch Hochgeschwindigkeitszugriff, lange Lebensdauer im Schreibmodus, niedrigen Energieverbrauch, nicht flüchtigen Speicher und hervorragende Manipulationssicherheit aus. FRAM ist daher der ideale Speicher für Smartcards, die hohe Sicherheit und niedrigen Energieverbrauch fordern, ebenso wie für Mobiltelefone und andere Geräte.