Infineon FRAM-Speicher 128kbit, 16 kB x 8 450ns Seriell-I2C SMD SOIC 8-Pin 2 V bis 3,6 V
- RS Best.-Nr.:
- 181-1553
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24V01A-G
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 97 - 97 | 2,403 € | 233,09 € |
| 194 - 388 | 2,355 € | 228,44 € |
| 485 + | 2,307 € | 223,78 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 181-1553
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24V01A-G
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 128kbit | |
| Organisation | 16 kB x 8 | |
| Interface-Typ | Seriell-I2C | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 450ns | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abmessungen | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | |
| Länge | 4.97mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Breite | 3.98mm | |
| Höhe | 1.48mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Anzahl der Wörter | 16K | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Arbeitsspannnung min. | 2 V | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 128kbit | ||
Organisation 16 kB x 8 | ||
Interface-Typ Seriell-I2C | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 450ns | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abmessungen 4.97 x 3.98 x 1.48mm | ||
Länge 4.97mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Breite 3.98mm | ||
Höhe 1.48mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Anzahl der Wörter 16K | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Arbeitsspannnung min. 2 V | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
128-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM)
Logisch organisiert als 16K x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
I Schnelle serielle Zweidraht-Schnittstelle (I
2C)
Bis zu 3,4 MHz Frequenz [1]
Direkter Hardware-Ersatz für seriellen EEPROM
Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz
Geräte-ID
Hersteller-ID und Produkt-ID
Geringer Stromverbrauch
175-√A Wirkstrom bei 100 kHz
150-94 A Standby-Strom
Strom im Ruhemodus: 8-94 A.
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
Logisch organisiert als 16K x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
I Schnelle serielle Zweidraht-Schnittstelle (I
2C)
Bis zu 3,4 MHz Frequenz [1]
Direkter Hardware-Ersatz für seriellen EEPROM
Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz
Geräte-ID
Hersteller-ID und Produkt-ID
Geringer Stromverbrauch
175-√A Wirkstrom bei 100 kHz
150-94 A Standby-Strom
Strom im Ruhemodus: 8-94 A.
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,0 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)