Infineon FRAM-Speicher 64kbit, 8K x 8 bit 3000ns Seriell-I2C SMD SOIC 8-Pin 2 V bis 3,6 V
- RS Best.-Nr.:
- 181-7555
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B064J-SXE
- Marke:
- Infineon
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| 20 - 48 | 3,875 € | 7,75 € |
| 50 - 98 | 3,80 € | 7,60 € |
| 100 - 198 | 3,785 € | 7,57 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 181-7555
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B064J-SXE
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 64kbit | |
| Organisation | 8K x 8 bit | |
| Interface-Typ | Seriell-I2C | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 3000ns | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abmessungen | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | |
| Länge | 4.97mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 3,6 V | |
| Breite | 3.98mm | |
| Höhe | 1.48mm | |
| Betriebstemperatur max. | +125 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Anzahl der Wörter | 8K | |
| Arbeitsspannnung min. | 2 V | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 64kbit | ||
Organisation 8K x 8 bit | ||
Interface-Typ Seriell-I2C | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 3000ns | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abmessungen 4.97 x 3.98 x 1.48mm | ||
Länge 4.97mm | ||
Arbeitsspannnung max. 3,6 V | ||
Breite 3.98mm | ||
Höhe 1.48mm | ||
Betriebstemperatur max. +125 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Anzahl der Wörter 8K | ||
Arbeitsspannnung min. 2 V | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
- Ursprungsland:
- US
64-Kbit-ferro-E-Random Access Memory (F-RAM) logisch organisiert als 8K x 8
10 Trillionen (1013) Lesen/Schreiben mit hoher Lebensdauer
121 Jahre Datenspeicherung (siehe Tabelle "Datenspeicherung und Lebensdauer")
Keine Verzögerung beim Schreiben
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Schnelle 2-adrige serielle Schnittstelle (I2C)
Bis zu 1 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für seriellen (I2C) EEPROM
Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz
Geringer Stromverbrauch
120° A (typ.) Wirkstrom bei 100 kHz
6° A (typ.) Standby-Strom
Spannungsbetrieb: VDD = 3,0 V bis 3,6 V
KFZ-E-Temperatur: -40 °C bis +125 °C.
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
10 Trillionen (1013) Lesen/Schreiben mit hoher Lebensdauer
121 Jahre Datenspeicherung (siehe Tabelle "Datenspeicherung und Lebensdauer")
Keine Verzögerung beim Schreiben
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Schnelle 2-adrige serielle Schnittstelle (I2C)
Bis zu 1 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für seriellen (I2C) EEPROM
Unterstützt ältere Timings für 100 kHz und 400 kHz
Geringer Stromverbrauch
120° A (typ.) Wirkstrom bei 100 kHz
6° A (typ.) Standby-Strom
Spannungsbetrieb: VDD = 3,0 V bis 3,6 V
KFZ-E-Temperatur: -40 °C bis +125 °C.
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
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