Infineon FRAM 4 kB, 512M x 8 Bit 20 ns SPI Oberfläche SOIC 8-Pin

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RS Best.-Nr.:
181-8325
Herst. Teile-Nr.:
FM25L04B-GTR
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

FRAM

Speicher Größe

4kB

Organisation

512M x 8 Bit

Schnittstellentyp

SPI

Datenbus-Breite

8bit

Zugriffszeit max.

20ns

Montageart

Oberfläche

Taktfrequenz max.

20MHz

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

8

Breite

3.98 mm

Länge

4.97mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.38mm

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Automobilstandard

AEC-Q100

Betriebstemperatur min.

-40°C

Anzahl der Bits pro Wort

8

Maximale Versorgungsspannung

3.6V

Anzahl der Wörter

512M

Minimale Versorgungsspannung

2.7V

4-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 512 x 8

Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)

151 Jahre Datenspeicherung NODELAY ® schreibt

Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess

Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)

Bis zu 20 MHz Frequenz

Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM

Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)

Ausgeklügeltes Schreibschutzschema

Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)

Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl

Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array

Geringer Stromverbrauch

200° A Wirkstrom bei 1 MHz

Standby-Strom von 3° A (typ.)

Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,6 V

Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.

Gehäuse

8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)

8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)

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