Infineon FRAM-Speicher 4kbit, 512 M x 8 Bit 20ns Seriell-SPI SMD SOIC 8-Pin 2,7 V bis 3,6 V

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RS Best.-Nr.:
181-8325
Herst. Teile-Nr.:
FM25L04B-GTR
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Speicher Größe

4kbit

Organisation

512 M x 8 Bit

Interface-Typ

Seriell-SPI

Datenbus-Breite

8bit

Zugriffszeit max.

20ns

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

SOIC

Pinanzahl

8

Abmessungen

4.97 x 3.98 x 1.47mm

Länge

4.97mm

Arbeitsspannnung max.

3,6 V

Breite

3.98mm

Höhe

1.47mm

Betriebstemperatur max.

+85 °C

Anzahl der Wörter

512M

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

Arbeitsspannnung min.

2,7 V

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Automobilstandard

AEC-Q100

4-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 512 x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Sehr schnelle serielle Peripherieschnittstelle (SPI)
Bis zu 20 MHz Frequenz
Direkter Hardware-Ersatz für serielles Flash und EEPROM
Unterstützt SPI-Modus 0 (0, 0) und Modus 3 (1, 1)
Ausgeklügeltes Schreibschutzschema
Hardware-Schutz mit dem Schreibschutzstift (WP)
Softwareschutz mit Schreib-Disable-Befehl
Software-Blockschutz für 1/4, 1/2 oder gesamtes Array
Geringer Stromverbrauch
200° A Wirkstrom bei 1 MHz
Standby-Strom von 3° A (typ.)
Niederspannungsbetrieb: VDD = 2,7 V bis 3,6 V
Industrietemperatur: -40 °C bis +85 °C.
Gehäuse
8-poliges SOIC-Gehäuse (Small Outline Integrated Circuit)
8-poliges, dünnes, flaches DFN-Gehäuse (Dual Flat No Lead)

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