- RS Best.-Nr.:
- 273-5262
- Herst. Teile-Nr.:
- CY15B104Q-LHXIT
- Marke:
- Infineon
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- CY15B104Q-LHXIT
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der FRAM-Speicher von Infineon ist ein nicht flüchtiger 4-Mbit-Speicher mit einem fortschrittlichen ferroelektrischen Prozess. Ein ferroelektrischer Zufallszugriffsspeicher oder FRAM ist nicht flüchtig und liest und schreibt ähnlich wie ein RAM. Es bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Komplexität, Überlastung und Zuverlässigkeitsprobleme auf Systemebene, die durch serielle Flash-, EEPROM- und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
RoHS-konform
Niederspannungsbetrieb
Geringer Stromverbrauch
Sehr schnelle serielle Peripherie-Schnittstelle
Ausgefeiltes Schreibschutzsystem
Niederspannungsbetrieb
Geringer Stromverbrauch
Sehr schnelle serielle Peripherie-Schnittstelle
Ausgefeiltes Schreibschutzsystem
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Speicher Größe | 4MBit |
Organisation | 512K x 8 |
Interface-Typ | Seriell-SPI |
Datenbus-Breite | 8bit |
Gehäusegröße | SOIC |
Pinanzahl | 8 |
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