Infineon IR2213STRPBF Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber MOSFET 2 A 16-Pin SOIC 1225 V 17 ns
- RS Best.-Nr.:
- 226-6159
- Herst. Teile-Nr.:
- IR2213STRPBF
- Marke:
- Infineon
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- 226-6159
- Herst. Teile-Nr.:
- IR2213STRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 2A | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 17ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 25ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 20V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 1225V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Serie | IR2213(S)PBF | |
| Länge | 10.5mm | |
| Breite | 7.6 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.65mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber | ||
Ausgangsstrom 2A | ||
Pinanzahl 16 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 17ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 25ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 20V | ||
Maximale Versorgungsspannung 1225V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Serie IR2213(S)PBF | ||
Länge 10.5mm | ||
Breite 7.6 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.65mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IR2213(S) ist ein Hochgeschwindigkeits-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigen, auf der Hoch- und Niederspannungsseite referenzierten Ausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und Latch-ImmunCMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Logikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgängen, bis hinunter auf 3,3-V-Logik.
Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb
Voll funktionsfähig bis +1200 V
Tolerant gegenüber negativer Überspannung und unempfindlich gegenüber dV/dt
Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannungsbereich von 12 V bis 20 V.
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