FS200R12KT4RBOSA1 N-Kanal IGBT-Transistormodul, 1200 V / 280 A, EconoPACK 3 35-Pin

  • RS Best.-Nr. 110-7155
  • Herst. Teile-Nr. FS200R12KT4RBOSA1
  • Marke Infineon
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Ausgenommen
Produktdetails

IGBT-Module, Infineon

Die IGBT-Module von Infineon bieten einen niedrigen Schaltverlust beim Schalten mit Frequenzen von bis zu 60 kHz.
Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP TM- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.

Gehäuseausführungen umfassen: 62-mm-Modul, EasyPack, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Transistor-Konfiguration 3-phasig
Konfiguration Dreiphasenbrücke
Dauer-Kollektorstrom max. 280 A
Kollektor-Emitter- 1200 V
Gate-Source Spannung max. ±20V
Channel-Typ N
Montage-Typ SMD
Gehäusegröße EconoPACK 3
Pinanzahl 35
Verlustleistung max. 1 kW
Abmessungen 122 x 62 x 17mm
Höhe 17mm
Länge 122mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Betriebstemperatur min. –40 °C
Breite 62mm
21 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück
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