Fuji Electric IGBT-Modul / 50 A ±20V max., 1200 V 280 W, 24-Pin M712 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 110-9135
- Herst. Teile-Nr.:
- 7MBR50VB-120-50
- Marke:
- Fuji Electric
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Produktdetails
Fuji Electric-IGBT-Module, 7er-Pack
V-Serie
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Fuji Electric
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 280 W |
| Gehäusegröße | M712 |
| Konfiguration | Dreiphasenbrücke |
| Montage-Typ | THT |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 24 |
| Transistor-Konfiguration | 3-phasig |
| Abmessungen | 122 x 62 x 17mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 110-9135
- Herst. Teile-Nr.:
- 7MBR50VB-120-50
- Marke:
- Fuji Electric
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