SKM100GB125DN N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 100 A, SEMITRANS2 7-Pin

  • RS Best.-Nr. 468-2410
  • Herst. Teile-Nr. SKM100GB125DN
  • Marke Semikron
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

Duale IGBT-Module

Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet.

Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse
Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet
Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung

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IGBT-Module, Semikron

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Konfiguration Zweifach-Halbbrücke
Transistor-Konfiguration Serie
Dauer-Kollektorstrom max. 100 A
Kollektor-Emitter- 1200 V
Gate-Source Spannung max. ±20V
Channel-Typ N
Montage-Typ Frontplattenmontage
Gehäusegröße SEMITRANS2
Pinanzahl 7
Abmessungen 94.5 x 34.5 x 30.5mm
Höhe 30.5mm
Länge 94.5mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Betriebstemperatur min. -40 °C
Breite 34.5mm
11 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.
235 weitere lieferbar innerhalb 2 Werktag(e) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück
162,68
(ohne MwSt.)
193,59
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
1 - 1
162,68 €
2 - 4
154,55 €
5 - 9
133,23 €
10 - 19
119,57 €
20 +
113,55 €