Infineon IGBT / 80 A ±20V max. , 650 V 208 W, 3-Pin PG-TO247-3-STD-NN4.8 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
285-010
Herst. Teile-Nr.:
IKWH40N65EH7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

208 W

Gehäusegröße

PG-TO247-3-STD-NN4.8

Konfiguration

Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Der IGBT von Infineon ist ein hochmodernes IGBT-Modul, das die TRENCHSTOP IGBT7-Technologie für außergewöhnliche Leistungen in Hochgeschwindigkeitsanwendungen mit niedriger Sättigungsspannung nutzt. Mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von 650 V gewährleistet dieses Modul einen hohen Wirkungsgrad und minimale Energieverluste und ist damit ideal für anspruchsvolle industrielle Umgebungen. Mit seinem robusten Gehäuse und seinen optimierten thermischen Eigenschaften bietet dieses Modul eine hervorragende Widerstandsfähigkeit gegen Feuchtigkeit und gewährleistet einen gleichmäßigen Betrieb unter verschiedenen Bedingungen.

Hochgeschwindigkeitsbetrieb für effizientes Energiemanagement
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung steigert die Leistung
Soft-Recovery-Diode sorgt für sanftes Schalten
Feuchtigkeitsresistentes Design für Zuverlässigkeit unter verschiedenen Bedingungen
Optimiert für zwei- und dreistufige Topologien
Umfassendes Produktspektrum für maßgeschneiderte Lösungen
Qualifiziert für industrielle Anwendungen nach strengen JEDEC-Normen

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