Vishay IGBT-Modul / 64 A Vierkant, 2.34 V 231 W, 24-Pin ECONO2 N-Kanal Direktmontage
- RS Best.-Nr.:
- 869-232
- Herst. Teile-Nr.:
- VS-GT51YF120NT
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
84,95 €
(ohne MwSt.)
101,09 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 08. März 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 11 | 84,95 € |
| 12 - 107 | 70,68 € |
| 108 + | 65,33 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 869-232
- Herst. Teile-Nr.:
- VS-GT51YF120NT
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 64A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 2.34V | |
| Anzahl an Transistoren | 4 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 231W | |
| Konfiguration | Vierkant | |
| Gehäusegröße | ECONO2 | |
| Montageart | Direktmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 24 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1200V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 220°C | |
| Breite | 45mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 20.5mm | |
| Länge | 107.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 64A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 2.34V | ||
Anzahl an Transistoren 4 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 231W | ||
Konfiguration Vierkant | ||
Gehäusegröße ECONO2 | ||
Montageart Direktmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 24 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1200V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 220°C | ||
Breite 45mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 20.5mm | ||
Länge 107.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der isolierte Gate-Bipolartransistor von Vishay wurde für effiziente Leistung in Leistungselektronikanwendungen entwickelt und bietet zuverlässigen Betrieb und robuste Transientenleistung.
Verfügt über eine Trench-Gate-Feldstopp-Architektur für verbesserte Effizienz
Bietet ein niedriges EMI-Profil, wodurch der Bedarf an Stöbern minimiert wird
Enthält lötbare Leiterplattenklemmen für bequeme Integration
Entwickelt mit einer Kupfer-Grundplatte zur Verbesserung des Wärmemanagements
Qualifiziert für den industriellen Markt mit UL-Zertifizierung
Verwandte Links
- Vishay IGBT-Modul / 118 A Vierkant 24-Pin ECONO2 N-Kanal Direktmontage
- Infineon IGBT-Modul / 75 A Dreiphasenbrücke 28-Pin ECONO2 N-Kanal Leiterplattenmontage
- Infineon IGBT-Modul / 50 A 23-Pin ECONO2 N-Kanal Klemme
- Infineon IGBT-Modul / 35 A 23-Pin ECONO2 N-Kanal Klemme
- Infineon IGBT-Modul / 70 A ±20V max. 28-Pin ECONO2 N-Kanal
- Infineon IGBT-Modul / 100 A ±20V max. 24-Pin ECONO2 N-Kanal
- Infineon IGBT-Modul / 100 A ±20V max. 25-Pin ECONO2 N-Kanal
- Vishay IGBT / 81 A Einfach 4-Pin SOT-227 N-Kanal Panel