Infineon IGBT-Modul / 70 A ±20V max., 650 V 190 W, 28-Pin ECONO2 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 838-6970
- Herst. Teile-Nr.:
- FS50R07N2E4BOSA1
- Marke:
- Infineon
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- 838-6970
- Herst. Teile-Nr.:
- FS50R07N2E4BOSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 70 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 190 W | |
| Gehäusegröße | ECONO2 | |
| Konfiguration | Dreiphasenbrücke | |
| Montage-Typ | PCB-Montage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 28 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | 3-phasig | |
| Abmessungen | 107.5 x 45 x 17mm | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 70 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 190 W | ||
Gehäusegröße ECONO2 | ||
Konfiguration Dreiphasenbrücke | ||
Montage-Typ PCB-Montage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 28 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration 3-phasig | ||
Abmessungen 107.5 x 45 x 17mm | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
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