Infineon IGBT-Modul / 100 A ±20V max., 650 V 335 W, 25-Pin ECONO2 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
838-6832
Herst. Teile-Nr.:
FS100R07N2E4B11BOSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

100 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

335 W

Gehäusegröße

ECONO2

Konfiguration

Dreiphasenbrücke

Montage-Typ

PCB-Montage

Channel-Typ

N

Pinanzahl

25

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Transistor-Konfiguration

3-phasig

Abmessungen

107.5 x 45 x 17mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-40 °C

IGBT-Module, Infineon


Die IGBT-Module von Infineon bieten einen niedrigen Schaltverlust beim Schalten mit Frequenzen von bis zu 60 kHz.
Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP TM- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.

Gehäuseausführungen umfassen: 62-mm-Modul, EasyPack, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4


IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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