Infineon IGBT-Modul / 69 A, 1200 V 335 W, 8-Pin Modul Panel
- RS Best.-Nr.:
- 273-7361
- Herst. Teile-Nr.:
- DDB6U75N16W1RBOMA1
- Marke:
- Infineon
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- 273-7361
- Herst. Teile-Nr.:
- DDB6U75N16W1RBOMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 69A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 335W | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Montageart | Panel | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61140, EN61140 | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Länge | 62.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 69A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 335W | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Montageart Panel | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61140, EN61140 | ||
Höhe 16.4mm | ||
Länge 62.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons Diodenbrückenmodule mit Brems-Chopper und NTC für ein kompakteres Wandlerdesign. Das Produkt hat eine wiederholbare Spitzensperrspannung von 1600 V und einen maximalen RMS-Vorwärtsstrom von 65 A pro Chip.
Wärmewiderstand
Interne Isolierung aus Al2O3
Gesamtverlustleistung 335 W
15 A kontinuierlicher DC-Durchlassstrom
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