Infineon IGBT-Modul / 69 A +/-20V max., 1200 V 335 W Modul

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RS Best.-Nr.:
273-7360
Herst. Teile-Nr.:
DDB6U75N16W1RBOMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

69 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

+/-20V

Verlustleistung max.

335 W

Gehäusegröße

Modul

Montage-Typ

Tafelmontage

Infineons Diodenbrückenmodule mit Brems-Chopper und NTC für ein kompakteres Wandlerdesign. Das Produkt hat eine wiederholbare Spitzensperrspannung von 1600 V und einen maximalen RMS-Vorwärtsstrom von 65 A pro Chip.

Wärmewiderstand
Interne Isolierung aus Al2O3
Gesamtverlustleistung 335 W
15 A kontinuierlicher DC-Durchlassstrom

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