Infineon IGBT-Modul / 650 A, 150 V 335 W, 8-Pin Modul Panel

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RS Best.-Nr.:
273-7364
Herst. Teile-Nr.:
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

650A

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

150V

Maximale Verlustleistung Pd

335W

Gehäusegröße

Modul

Montageart

Panel

Pinanzahl

8

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.9V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

UL (E83335)

Länge

62.4mm

Höhe

16.4mm

Breite

56.7 mm

Automobilstandard

Nein

Infineons IGBT-Modul hat 650 V VCES, 150 A kontinuierlichen DC-Kollektorstrom 3 Level Phase Leg IGBT-Modul mit TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 Diode, NTC und Press FIT Contact Technology. Dieses IGBT-Modul erhöht die Sperrspannungsfähigkeit auf 650 V und ist mit einem Al2O3-Substrat mit geringem Wärmewiderstand erhältlich.

Niedriger VCEsat

Kompakte Bauweise

Robuste Montage

Niedrige induktive Bauweise

Niedrige Schaltverluste

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