Infineon IGBT-Modul / 650 A +/-20V max., 150 V 335 W Modul

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RS Best.-Nr.:
273-7364
Herst. Teile-Nr.:
F3L150R07W2E3B11BOMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

650 A

Kollektor-Emitter-Spannung

150 V

Gate-Source Spannung max.

+/-20V

Verlustleistung max.

335 W

Gehäusegröße

Modul

Montage-Typ

Tafelmontage

Infineons IGBT-Modul hat 650 V VCES, 150 A kontinuierlichen DC-Kollektorstrom 3 Level Phase Leg IGBT-Modul mit TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 Diode, NTC und Press FIT Contact Technology. Dieses IGBT-Modul erhöht die Sperrspannungsfähigkeit auf 650 V und ist mit einem Al2O3-Substrat mit geringem Wärmewiderstand erhältlich.

Niedriger VCEsat
Kompakte Bauweise
Robuste Montage
Niedrige induktive Bauweise
Niedrige Schaltverluste

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