Infineon IGBT / 80 A, 650 V 305 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage

Dieser isolierte bipolare Transistor ist ein Hochspannungsschaltgerät, das für die Leistungsumwandlung und -steuerung in anspruchsvoller Elektronik entwickelt wurde. Er ist als N-Kanal-Leistungstransistor in einem TO-247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung konfiguriert und dient Anwendungen, die eine robuste Kollektor-Emitter-Spannungsverarbeitung und eine hohe Strombelastbarkeit erfordern. Die Komponente entspricht den gängigen Umwelt- und Verpackungsnormen der Industrie, und ihre thermische Belastbarkeit ermöglicht den Einsatz in einem breiten Umgebungsbereich.

• 650 V Kollektor-Emitter-Fähigkeit für Hochspannungs-Schaltanwendungen
• 80 A kontinuierlicher Kollektorstrom zur Bewältigung erheblicher Lastströme
• Die Sättigungsspannung von 2,1 V minimiert die Leitungsverluste für mehr Effizienz
• Die Verlustleistung von 305 W unterstützt den Betrieb mit hoher Leistung
• Die Gate-Emitter-Bewertung von ±20 V gewährleistet die Flexibilität des Gate-Antriebs
• Die Energieeinstufung von 0,7 mJ bietet eine Avalanche-Energietoleranz

• Geeignet für Motorantriebs-Wechselrichterstufen in industriellen Geräten
• Verwendung mit Hochspannungsnetzteilen und Wandlern
• Ideal für Schaltnetzteile in der Traktionselektronik
• Kann zum industriellen Schweißen und zur Steuerung von Induktionsheizungen verwendet werden
• Geeignet für Leistungsfaktorkorrektur und Wechselrichter für erneuerbare Energien

Das Gerät arbeitet über einen breiten Temperaturbereich von -40 °C bis 175 °C und ermöglicht den Einsatz in rauen thermischen Umgebungen.

Er wird in einem TO-247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, das für den Kühlkörper ausgelegt ist, um die maximale Verlustleistung von 305 W zu bewältigen.

Die Komponente erfüllt die RoHS-Beschränkungen und entspricht den JEDEC-Verpackungsnormen.

Er verfügt über drei Pins für den Anschluss und wird als N-Kanal-Transistor implementiert.