N-Kanal IGBT GT50JR21, 600 V 50 A 1MHz, TO-3P 3-Pin Einfach

  • RS Best.-Nr. 168-7767
  • Herst. Teile-Nr. GT50JR21
  • Marke Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: JP
Produktdetails

IGBTs, diskret, Toshiba

IGBT, diskrete Bauteile und Module, Toshiba

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Dauer-Kollektorstrom max. 50 A
Kollektor-Emitter- 600 V
Gate-Source Spannung max. ±25V
Verlustleistung max. 230 W
Gehäusegröße TO-3P
Montage-Typ Durchsteckmontage
Channel-Typ N
Pinanzahl 3
Schaltgeschwindigkeit 1MHz
Transistor-Konfiguration Einfach
Länge 15.5mm
Breite 4.5mm
Höhe 20mm
Abmessungen 15.5 x 4.5 x 20mm
Betriebstemperatur max. +175 °C
50 lieferbar innerhalb von 1 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro: Stück (In einer Stange von 25)
4,00
(ohne MwSt.)
4,76
(inkl. MwSt.)
Stück
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4,00 €
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Nicht als Expresslieferung erhältlich.