STMicroelectronics IGBT / 29 A, 600 V 80 W, 3-Pin TO-220FP N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 168-8877
- Herst. Teile-Nr.:
- STGF10NB60SD
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt sichern
500 weitere Einheiten hinzufügen, um 1% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
56,90 €
(ohne MwSt.)
67,70 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 50 Einheit(en) mit Versand ab 16. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|---|
| 50 - 450 | 1,138 € | 56,90 € | - |
| 500 - 1200 | 1,124 € | 56,20 € | 1% |
| 1250 + | 1,11 € | 55,50 € | 2% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-8877
- Herst. Teile-Nr.:
- STGF10NB60SD
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 29A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 80W | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 3.8μs | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.75V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 10.4mm | |
| Länge | 30.6mm | |
| Serie | Low Drop | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 4.6mm | |
| Energie | 8mJ | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 29A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 80W | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 3.8μs | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.75V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 10.4mm | ||
Länge 30.6mm | ||
Serie Low Drop | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 4.6mm | ||
Energie 8mJ | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 29 A 3-Pin TO-220FP N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 7 A 3-Pin TO-220FP N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 7 A 3-Pin TO-220FP N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 40 A 3-Pin TO-220FP N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 80 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 25 A 3-Pin TO-220 N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 80 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 80 A 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage