STMicroelectronics IGBT / 29 A, 600 V 80 W, 3-Pin TO-220FP Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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877-2873
Herst. Teile-Nr.:
STGF10NB60SD
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

29A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

80W

Gehäusegröße

TO-220FP

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

3.8μs

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.75V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

10.4mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

Low Drop

Länge

30.6mm

Automobilstandard

Nein

Energie

8mJ

Ursprungsland:
CN

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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