Infineon IGBT / 41 A, 600 V 166 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Die TRENCHSTOP™ IGBT-Technologie von Infineon führt zu einer signifikanten Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung der Einheit durch die Kombination von Trench-Top-Cell und Filed-Stop-Konzept. Die Kombination von IGBT mit weicher Wiederherstellung Emitter-gesteuerte Diode minimiert die Einschaltverluste weiter. Der höchste Wirkungsgrad wird durch den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten erreicht.

Niedrigster V ce-Abfall (sat.) für geringere LeitungsverlusteNiedrige SchaltverlusteEinfache Parallelschaltbarkeit durch positiven Temperaturkoeffizienten in V ce(sat.)Sehr weiche, schnell wiederherstellende antiparallele Emitter-gesteuerte DiodeHohe Robust, temperaturbeständiges VerhaltenGeringe elektromagnetische StörungenNiedrige GateladungSehr enge Parameter VerteilungVorteile:Höchster Wirkungsgrad – niedrige Leitungs- und SchaltverlusteUmfassendes Portfolio in 600 V und 1200 V für flexible GestaltungHohe GerätezuverlässigkeitAnwendungsbereiche:UPSSolarwechselrichterWichtige HaushaltsgeräteSchweißenKlimaanlageIndustrielle AntriebeAndere harte Schaltanwendungen