Infineon IGBT / 41 A, 600 V 166 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 170-2371
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP20N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 170-2371
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP20N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 41A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 166W | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.05V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free, JEDEC, RoHS | |
| Serie | TrenchStop | |
| Energie | 0.77mJ | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 41A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 166W | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.05V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free, JEDEC, RoHS | ||
Serie TrenchStop | ||
Energie 0.77mJ | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die TRENCHSTOP™ IGBT-Technologie von Infineon führt zu einer signifikanten Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung der Einheit durch die Kombination von Trench-Top-Cell und Filed-Stop-Konzept. Die Kombination von IGBT mit weicher Wiederherstellung Emitter-gesteuerte Diode minimiert die Einschaltverluste weiter. Der höchste Wirkungsgrad wird durch den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten erreicht.
Niedrigster V ce-Abfall (sat.) für geringere LeitungsverlusteNiedrige SchaltverlusteEinfache Parallelschaltbarkeit durch positiven Temperaturkoeffizienten in V ce(sat.)Sehr weiche, schnell wiederherstellende antiparallele Emitter-gesteuerte DiodeHohe Robust, temperaturbeständiges VerhaltenGeringe elektromagnetische StörungenNiedrige GateladungSehr enge Parameter VerteilungVorteile:Höchster Wirkungsgrad – niedrige Leitungs- und SchaltverlusteUmfassendes Portfolio in 600 V und 1200 V für flexible GestaltungHohe GerätezuverlässigkeitAnwendungsbereiche:UPSSolarwechselrichterWichtige HaushaltsgeräteSchweißenKlimaanlageIndustrielle AntriebeAndere harte Schaltanwendungen
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