Infineon IGBT / 41 A ±20V max. , 600 V 166 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
170-2371
Herst. Teile-Nr.:
IKP20N60TXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

41 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

166 W

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

10.36 x 4.57 x 15.95mm

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Nennleistung

0.77mJ

Infineon IGBT


Der Infineon IGBT ist ein 3-poliger N-Kanal TO-220-Transistor für Durchgangsbohrungen. Er hat einen Nennstrom von 41 A und eine Nennspannung von 600 V, 3. Generation, verpolungssicherer IGBT, optimiert für geringere Schalt- und Leitungsverluste. Sein weiches Schaltverhalten ermöglicht eine bessere Leistung und ein besseres EMI-Verhalten. Mit Hilfe dieses Transistors kann eine ausgezeichnete Leistung bei niedrigeren Kosten erreicht werden.

Eigenschaften und Vorteile


• Kosteneffizient
• Hohe Effizienz
• Geringe EMI-Emissionen
• Geringe Schaltverluste
• niedrigster V ce (sat)-Abfall für geringere Leitungsverluste
• Die maximale Verlustleistung beträgt 166 W
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -40 °C und 175 °C.
• Reduzierte Verlustleistung
• Überspannungsfestigkeit
• Sehr weiche, schnell wiederherstellende, antiparallele Emitter-gesteuerte Diode

Anwendungen


• Haushaltsgeräte
• Induktionskochöfen
• Industrielle Antriebe
• Mikrowellenherde
• Reiskocher
• UPS
• Schweißgeräte

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007

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