onsemi Feldstopp-Trench-IGBT / 80 A, 650 V 1 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

39,18 €

(ohne MwSt.)

46,62 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 24. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 903,918 €39,18 €
100 - 2403,377 €33,77 €
250 +2,928 €29,28 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
202-5669
Herst. Teile-Nr.:
AFGHL40T65SQ
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

Feldstopp-Trench-IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

80A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±3 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

Trench

Automobilstandard

AEC-Q101

Der on Semiconductor Field Stop Trench IGBT bietet die optimale Leistung für harte und weiche Schalttopologien in der Automobilindustrie. Es handelt sich um einen eigenständigen IGBT.

AEC-Q101-qualifiziert

Hohe Strombelastbarkeit

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Enge Parameterverteilung

RoHS-konform

Verwandte Links