Infineon IGBT / 90 A ±20V max., 600 V 333 W, 3-Pin PG-TO263-3
- RS Best.-Nr.:
- 215-6629
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB50N60TATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 215-6629
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB50N60TATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon verlustarme bipolare Transistor mit isoliertem Gate in Trenchstop- und Fieldstop-Technologie.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 90 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 333 W |
| Gehäusegröße | PG-TO263-3 |
| Pinanzahl | 3 |
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