Teile-Nr.

Infineon IGBT / 53 A ±20 V, ±30 V max., 600 V 141 W, 3-Pin PG-TO247-3-AI

RS Best.-Nr.:: 215-6660
Herst. Teile-Nr.:: IKFW60N60DH3EXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 53 A ±20 V, ±30 V max., 600 V 141 W, 3-Pin PG-TO247-3-AI

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

107,64 €

(ohne MwSt.)

128,10 €

(inkl. MwSt.)

Fügen Sie 30 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.

Die Versandkosten für Bestellungen unter 100,00 € (ohne MwSt.) betragen 8,95 €.

Auf Lager

30 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
30 - 30	3,588 €	107,64 €
60 - 120	3,409 €	102,27 €
150 +	3,265 €	97,95 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 215-6660
Herst. Teile-Nr.:: IKFW60N60DH3EXKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	53 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	600 V
	Gate-Source Spannung max.	±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max.	141 W
	Gehäusegröße	PG-TO247-3-AI
	Pinanzahl	3
	Transistor-Konfiguration	Isoliert

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 53 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 600 V
	Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max. 141 W
	Gehäusegröße PG-TO247-3-AI
	Pinanzahl 3
	Transistor-Konfiguration Isoliert

Datasheet-IKFW60N60DH3EXKSA1

Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gatter, kopiert mit Rapid-1-schneller und weicher antiparalleler Diode in vollständig isoliertem Gehäuse.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

Infineon IGBT / 53 A ±20 V, ±30 V max., 600 V 141 W, 3-Pin PG-TO247-3-AI

Fügen Sie 30 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.

Verwandte Links