Teile-Nr.

Infineon IGBT / 53 A ±20 V, ±30 V max., 600 V 141 W, 3-Pin PG-TO247-3-AI

RS Best.-Nr.:: 215-6660
Herst. Teile-Nr.:: IKFW60N60DH3EXKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 53 A ±20 V, ±30 V max., 600 V 141 W, 3-Pin PG-TO247-3-AI

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RS Best.-Nr.:: 215-6660
Herst. Teile-Nr.:: IKFW60N60DH3EXKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	53 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	600 V
	Gate-Source Spannung max.	±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max.	141 W
	Gehäusegröße	PG-TO247-3-AI
	Pinanzahl	3
	Transistor-Konfiguration	Isoliert

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 53 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 600 V
	Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max. 141 W
	Gehäusegröße PG-TO247-3-AI
	Pinanzahl 3
	Transistor-Konfiguration Isoliert

Datasheet-IKFW60N60DH3EXKSA1

Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gatter, kopiert mit Rapid-1-schneller und weicher antiparalleler Diode in vollständig isoliertem Gehäuse.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

Infineon IGBT / 53 A ±20 V, ±30 V max., 600 V 141 W, 3-Pin PG-TO247-3-AI

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