Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 53 A, 600 V 141 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
215-6660
Herst. Teile-Nr.:
IKFW60N60DH3EXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

53A

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

141W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±30 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Serie

TRENCHSTOPTM Advanced Isolation

Automobilstandard

Nein

Der Infineon bipolare Transistor mit isoliertem Gatter, kopiert mit Rapid-1-schneller und weicher antiparalleler Diode in vollständig isoliertem Gehäuse.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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