Infineon IGBT / 160 A 20V max. , 600 V 833 W, 3-Pin PG-TO247 N-Kanal

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
226-6109
Herst. Teile-Nr.:
IKQ120N60TXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

160 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

20V

Verlustleistung max.

833 W

Anzahl an Transistoren

1

Konfiguration

Single

Gehäusegröße

PG-TO247

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Der Infineon IKQ120N60T verfügt über einen 600 V hart schaltenden IGBT, diskret mit einer antiparallelen Diode, die eine höhere Systemleistungsdichte aufweist, die die gleiche thermische Leistung des Systems beibehalten und eine höhere Zuverlässigkeit mit verlängerter Lebensdauer des Geräts bietet.

35 % größerer aktiver Thermopadbereich für bis zu 20 % geringeren Wärmewiderstand R th(jh)
Erweiterter Kriechstrecke von 4,25 mm - 2 mm größer als TO-247

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