Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 160 A, 600 V 833 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 226-6109
- Herst. Teile-Nr.:
- IKQ120N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 160A | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 833W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 41.2mm | |
| Serie | TrenchStop | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 160A | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 833W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 41.2mm | ||
Serie TrenchStop | ||
Höhe 5.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IKQ120N60T verfügt über einen 600 V hart schaltenden IGBT, diskret mit einer antiparallelen Diode, die eine höhere Systemleistungsdichte aufweist, die die gleiche thermische Leistung des Systems beibehalten und eine höhere Zuverlässigkeit mit verlängerter Lebensdauer des Geräts bietet.
35 % größerer aktiver Thermopadbereich für bis zu 20 % geringeren Wärmewiderstand R th(jh)
Erweiterter Kriechstrecke von 4,25 mm - 2 mm größer als TO-247
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